SPP18P06P H 全国供应商、价格、PDF资料
SPP18P06P H详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220
- 系列：SIPMOS®
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18.7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫欧 @ 13.2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：860pF @ 25V
- 功率_最大：81.1W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：PG-TO220-3
- 包装：管件
- DC DC Converters Power-One DC/DC EIGHTH BRICK
- 振荡器 EPSON 4-SOJ，5.08mm 间距 OSCILLATOR 2.4576MHZ SMD
- FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 4.99K OHM 1/4W .5% SMD 1206
- 逻辑 - 锁销 Texas Instruments 56-VFBGA IC 16BIT TRANSP D-LATCH 56-BGA
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402（1005 公制） RES 26.1 OHM 1/16W .25% SMD 0402
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603（1608 公制） RES 69.8 OHM 1/10W .5% SMD 0603
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 300K OHM 1/8W .5% SMD 0805
- DC DC Converters Power-One DC/DC EIGHTH BRICK
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 510 OHM 1/4W .5% SMD 1206
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402（1005 公制） RES 2.55KOHM 1/16W .25% SMD 0402
- 逻辑 - 触发器 Texas Instruments 48-BSSOP（0.295"，7.50mm 宽） IC D-TYPE F/F TRI-STATE 48-SSOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 301K OHM 1/8W .5% SMD 0805
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603（1608 公制） RES 715 OHM 1/10W .5% SMD 0603
- 振荡器 EPSON 4-SOJ，5.08mm 间距 OSCILLATOR 24.0000MHZ SMD
0755-82561519 
19166203057 
0755-84507209 
0755-82542579 
010-62962871、 
0755-83223003 
18913062888 
0755-83242658 
0755-82561519 
0755-82563615 
0755-88291559 
0755-83777708 
13711580601 
0755-83015506 
0755-82522939 
